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单晶铜、其制备方法及包含其的基板

发明专利有效专利

申请号：
CN201310406266.1
IPC分类号：C30B29/02;C25C1/12
申请日期：
2013-09-09
申请人：
财团法人交大思源基金会

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	单晶铜、其制备方法及包含其的基板
申请号	CN201310406266.1	申请日期	2013-09-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-18	公开/公告号	CN104419983A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;2;;;C;2;5;C;1;/;1;2查看分类表>
申请人	财团法人交大思源基金会	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	财团法人交大思源基金会	当前权利人	财团法人交大思源基金会
发明人	陈智;杜经宁;吕佳凌
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	宋焰琴

摘要

本发明公开了一种单晶铜，其具有[100]方向，且体积介于0.1μm3～4.0×106μm3。本发明还提供一种单晶铜的制备方法，以及包含该单晶铜的基板。

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