在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610165089.2
IPC分类号：B81C1/00
申请日期：
2006-12-13
申请人：
清华大学

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著录项信息

专利名称	在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法
申请号	CN200610165089.2	申请日期	2006-12-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-05-30	公开/公告号	CN1970434
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市-82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	王喆垚;周有铮;刘理天
代理机构	北京众合诚成知识产权代理有限公司	代理人	李光松

摘要

本发明公开了属于微加工技术和微型检测器件范围的一种在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法。其特征在于：所述传感器采用SOI(绝缘体上硅)硅片制备，即在所述SOI硅片的上层硅中制备单晶硅压阻敏感器件，采用硅的横向干法刻蚀工艺从正面释放所述微悬臂梁使其悬空。本发明采用SOI硅片、利用各向同性干法刻蚀工艺从正面释放微悬臂梁结构，制作工艺简单易行，成品率高；由SOI硅片上层硅制备单晶硅材料的压阻敏感器件，压阻系数大，可显著提高传感器的灵敏度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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