一种钝化接触结构及其太阳能电池的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010920630.6
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/0216;C23C16/56;C23C16/50;C23C16/24
申请日期：
2020-09-04
申请人：
江苏杰太光电技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种钝化接触结构及其太阳能电池的制备方法
申请号	CN202010920630.6	申请日期	2020-09-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-11	公开/公告号	CN112071954A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;C;2;3;C;1;6;/;5;6;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0;;;C;2;3;C;1;6;/;2;4查看分类表>
申请人	江苏杰太光电技术有限公司	申请人地址	江苏省泰州市姜堰区姜堰经济开发区陈庄路600号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏杰太光电技术有限公司	当前权利人	江苏杰太光电技术有限公司
发明人	杜哲仁;陆俊宇;陈嘉;季根华
代理机构	北京集智东方知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

一种钝化接触结构太阳能电池的制备方法，包括如下步骤S1.对晶体硅基体进行预处理；S2.在晶体硅基体表面生长一层隧穿氧化层；S3.在PECVD工艺腔内，在隧穿氧化层表面沉积掺杂非晶硅层；S4.将晶体硅基体进行退火，使掺杂非晶硅层晶化形成掺杂多晶硅层；S5.在掺杂多晶硅层表面制备氮化硅减反层，并在另一面制备氧化铝钝化层；S6.在氧化铝钝化层表面制备氮化硅减反层；S7.在晶体硅基体正反两面通过丝网印刷的方式制备金属导电电极，以形成钝化接触结构的太阳能电池。本发明采用PECVD方法制备掺杂非晶硅层的工艺温度低，可减少由硅片弯曲带来的不良，且工艺具有单面性，绕镀轻微，可以减少后期清洗步骤；可实现原位掺杂，减少后续磷掺杂或硼掺杂工序。

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