传感器封装结构及封装方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010854085.5
IPC分类号：H01L27/146;H01L27/148
申请日期：
2020-08-24
申请人：
甬矽电子（宁波）股份有限公司

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著录项信息

专利名称	传感器封装结构及封装方法
申请号	CN202010854085.5	申请日期	2020-08-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-02	公开/公告号	CN111739901A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/146 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/14 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L 31/14；光导与光电元件的耦合入G02B 6/42）〔2〕 H01L27/144 由辐射控制的器件〔5〕 H01L27/146 图像结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;4;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;8查看分类表>
申请人	甬矽电子（宁波）股份有限公司	申请人地址	浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	甬矽电子（宁波）股份有限公司	当前权利人	甬矽电子（宁波）股份有限公司
发明人	钟磊;何正鸿
代理机构	北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种传感器封装结构及封装方法，属于半导体技术领域。传感器封装结构，包括基板，感应芯片设置于基板的板面上，且感应芯片的工作区朝向远离基板的一侧，感应芯片的线路与基板的线路通过绑定线连接，封装盖板的板面上形成有第一容置槽，第一容置槽内填充有绝缘胶体，封装盖板盖设于基板设置感应芯片的一侧，绑定线容置于第一容置槽内以与绝缘胶体相嵌合，绝缘胶体用于粘结封装盖板于基板上，封装盖板靠近感应芯片的一侧形成有第二容置槽，感应芯片容置于第二容置槽内。本发明的目的在于提供一种传感器封装结构及封装方法，能够更好的设置和保护感应芯片与基板之间连接的绑定线，提高封装结构的良率，并降低封装成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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