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固态电解液阻变存储器及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810119971.2
  • IPC分类号:H01L45/00G11C16/02G11C13/02
  • 申请日期:
    2008-10-20
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称固态电解液阻变存储器及其制备方法
申请号CN200810119971.2申请日期2008-10-20
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-04-22公开/公告号CN101414658
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H01L45/00;G11C16/02;G11C13/02查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号中科院微*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人刘明;管伟华;龙世兵
代理机构北京市德权律师事务所代理人王建国
摘要
本发明公开了一种固态电解液阻变存储器及其制备方法,属于微电子制造及存储器技术领域。固态电解液阻变存储器包括衬底、绝缘衬底层、粘附层、下电极层、固态电解液薄膜、上电极层以及保护层。下电极层的材料为在电场作用下性质稳定的金属或导电化合物,如铂、金、钨或石墨中;上电极层的材料为在电场作用下易于被氧化为金属离子的金属,如铜、银、铁、锌、镍、或汞;固态电解液薄膜的材料为氧化锆、氧化铝、氧化硅、氧化铪、氧化钨或氧化钼中的一种。本发明具有结构简单、易集成、成本低的优点。同时本发明的固态电解液阻变存储器制备方法具有工艺简单、操作方便并可与传统的硅平面CMOS工艺兼容的优点,有利于广泛推广和应用。

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