蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010183534.4
IPC分类号：C23F1/18;C23F1/26;H01L21/28
申请日期：
2010-05-14
申请人：
三星电子株式会社;东进世美肯株式会社

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著录项信息

专利名称	蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法
申请号	CN201010183534.4	申请日期	2010-05-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-11-17	公开/公告号	CN101886266A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23F1/18 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23F 非机械方法去除表面上的金属材料（电浸蚀法加工金属入B23H；火焰法清除表层金属材料入B23K 7/00；用激光束加工金属入B23K 26/00）；金属材料的缓蚀；一般防积垢（电解或电泳法处理金属表面或金属覆层入C25D，C25F）；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理〔4〕 C23F1/00 金属材料的化学法蚀刻〔2〕 C23F1/10 蚀刻用组合物（C23F 1/44优先）〔4〕 C23F1/14 含水组合物〔4〕 C23F1/16 酸性组合物（C23F 1/42优先）〔4〕 C23F1/18 蚀刻铜或铜合金用的〔4〕	IPC分类号	C;2;3;F;1;/;1;8;;;C;2;3;F;1;/;2;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	三星电子株式会社;东进世美肯株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星显示有限公司,东进世美肯株式会社	当前权利人	三星显示有限公司,东进世美肯株式会社
发明人	金俸均;郑钟铉;李炳珍;洪瑄英;朴弘植;金时烈;李骐范;曹三永;金相佑;申贤哲;徐源国
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	吴贵明;张英

摘要

本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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