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半导体制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910188534.0
IPC分类号：H01L21/28
申请日期：
2009-12-01
申请人：
无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体制造方法
申请号	CN200910188534.0	申请日期	2009-12-01
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-01	公开/公告号	CN102082086A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡华润上华科技有限公司	当前权利人	无锡华润上华科技有限公司
发明人	侯欢;王德进;张克云;刘福海
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	何平

摘要

本发明涉及一种半导体制造方法，首先对光刻胶显影区域上的富硅氧化物进行干法蚀刻；然后选用稀氟化氢溶液，对光刻板显影区域上的富硅氧化物剩余部分进行湿法蚀刻。本发明湿法蚀刻中采用蚀刻速率慢的稀氟化氢溶液对阻挡层光刻胶显影区域硅化物进行蚀刻，在蚀刻去掉阻挡层硅化物时不会在多晶层上产生坑状缺陷，从而解决栅氧化层完整性失效的问题。

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