晶圆级的微米-纳米级半导体LED显示屏及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710111713.9
IPC分类号：G09F9/33;H01L27/12;H01L21/77
申请日期：
2017-02-28
申请人：
郑清团

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	晶圆级的微米-纳米级半导体LED显示屏及其制备方法
申请号	CN201710111713.9	申请日期	2017-02-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-07-07	公开/公告号	CN106935151A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G09F9/33 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G09 教育；密码术；显示；广告；印鉴 G09F 显示；广告；标记；标签或铭牌；印鉴 G09F9/00 采用选择或组合单个部件在支架上建立信息的可变信息的指示装置（其中可变信息永久性的连接在可动支架上的入G09F 11/00） G09F9/30 由组合单个部件所形成的符号所需的字符或字符组 G09F9/33 为半导体装置，例如二极管〔3，7〕	IPC分类号	G;0;9;F;9;/;3;3;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;7查看分类表>
申请人	郑清团	申请人地址	福建省泉州市南安市石井镇郭前村南片B2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	郑清团	当前权利人	郑清团
发明人	郑锦坚;郑清团;王星河;康俊勇
代理机构	厦门南强之路专利事务所（普通合伙）	代理人	马应森

摘要

晶圆级的微米‑纳米级半导体LED显示屏及其制备方法，涉及半导体光电器件，在第一导电型的第一半导体层蚀刻出3x组微米‑纳米尺寸的元件，该元件的表面分别与c面、r面和m面存在夹角，控制该三组表面夹角可调控三组有源层InxGa1‑xN/GaN多量子阱的发光波长为红绿蓝RGB波段的任意波长，可在同一晶圆上制作的RGB任意排列组合及任意波段组合的红绿蓝RGB模块，通过第一半导体制作接触电极并与集成电路控制板连接，可独立控制RGB元件的开关和功率，制作成晶圆级的微米‑纳米象素分辨率的高清、高画质的半导体LED显示屏。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供