基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201811362745.7
IPC分类号：H01L21/02;H01L31/18;H01L33/00;H01L29/06;H01L31/0352;H01L33/20
申请日期：
2018-11-15
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构
申请号	CN201811362745.7	申请日期	2018-11-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-04-05	公开/公告号	CN109585270A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;3;/;2;0查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	梁冬冬;魏同波;闫建昌;王军喜
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	暂无

摘要

一种基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构，该方法包括以下步骤在非晶组合衬底上沉积薄层二氧化硅，通过纳米压印的方式在非晶组合衬底上制备出二氧化硅阵列孔，对非晶衬底上的二氧化硅进行过腐蚀，将阵列孔底部的二氧化硅腐蚀掉，露出衬底部分；再以具有阵列孔的二氧化硅层作为掩模，在非晶组合衬底上选区生长氮化物材料。本发明提高了非晶组合衬底上外延氮化物材料的晶体质量，促进了基于氮化物材料的光电器件及电子电力器件的发展，有利于推动产业进步。

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