一种用于气相沉积的均匀气流进气口装置及均匀进气的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110401653.7
IPC分类号：C23C16/455
申请日期：
2011-12-06
申请人：
山东国晶新材料有限公司

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专利名称	一种用于气相沉积的均匀气流进气口装置及均匀进气的方法
申请号	CN201110401653.7	申请日期	2011-12-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-02	公开/公告号	CN102433548A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/455 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/455 向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法〔7〕	IPC分类号	C23C16/455查看分类表>
申请人	山东国晶新材料有限公司	申请人地址	山东省禹城市南环东路*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东国晶新材料有限公司	当前权利人	山东国晶新材料有限公司
发明人	刘汝萃;刘汝强
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司	代理人	吕利敏

摘要

本发明公开一种用于气相沉积的均匀气流进气口装置，包括设有进气孔的原料气体混合腔、与混合腔相连通的出气通道，所述出气通道为两个，该两个出气通道的出气方向相同且长度不同，该两个出气通道的长度比例为1∶0.3～0.6。本发明的优势在于，所述反应气体通过进气孔进入混合腔，沿所述两个出气通道向沉积炉内的模具出气，由于所述两个出气通道的长度不同，较长的出气通道引导气体流向模具的中部，气体出来后可以均匀分散沉积到模具的各个部位上，避免了坩埚较长时，气体聚集在坩埚底部，难以到达上部沉积的缺陷，大大提高生产坩埚制品的成品率。