具有宽频段光能存储特性的亚波长光栅结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202210829787.7
IPC分类号：G02B5/00;G02B6/126;G03F7/00;B82Y20/00;B82Y40/00
申请日期：
2022-07-15
申请人：
华侨大学

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著录项信息

专利名称	具有宽频段光能存储特性的亚波长光栅结构及其制备方法
申请号	CN202210829787.7	申请日期	2022-07-15
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-08-12	公开/公告号	CN114895394A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02B5/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02B 光学元件、系统或仪器（G02F优先；专用于照明装置或系统的光学元件入F21V 1/00至F21V 13/00；测量仪器见G01类的有关小类，例如，光学测距仪入G01C；光学元件、系统或仪器的测试入G01M 11/00；眼镜入G02C；摄影、放映或观看用的装置或设备入G03B；声透镜入G10K 11/30；电子和离子“光学”入H01J；X射线“光学”入H01J，H05G 1/00；结构上与放电管相组合的光学元件入H01J 5/16，H01J 29/89，H01J 37/22；微波“光学”入H01Q；光学元件与电视接收机的组合装置入H04N 5/72；彩色电视系统中的光学系统或装置入H04N 9/00；专门适用于透明或反射区的加热装置入H05B 3/84）〔1，7〕 G02B5/00 除透镜外的光学元件（光波导入G02B 6/00；光学逻辑元件入G02F 3/00）〔4〕	IPC分类号	G;0;2;B;5;/;0;0;;;G;0;2;B;6;/;1;2;6;;;G;0;3;F;7;/;0;0;;;B;8;2;Y;2;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	华侨大学	申请人地址	福建省泉州市丰泽区城东城华北路269号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华侨大学	当前权利人	华侨大学
发明人	沈少鑫;刘雯萱;曾越
代理机构	厦门市首创君合专利事务所有限公司	代理人	连耀忠

摘要

本发明公开了一种具有宽频段光能存储特性的亚波长光栅结构及其制备方法，涉及先进光学功能超材料设计及微纳加工技术领域，该亚波长光栅结构包括从下至上依次设置的硅基底、第一铝金属薄膜层、介质隔绝层和介质光栅层，介质光栅层设有以周期宽度周期性间隔设置的脊部，相邻两个脊部之间设有沟槽，脊部的周期宽度远小于入射光的波长，介质光栅层的脊部的顶部和侧壁以及沟槽的底部覆盖有第二铝金属薄膜层，第二铝金属薄膜层具有非均匀厚度，解决现有纳米结构加工领域中难以大面积制备且流程复杂的问题，从而达到便于高质量的长程有序制备，制备产品均匀性好、多参数可调的效果，该结构具有显著的大角度宽频段光能存储及非线性谐波偏振增强特性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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