功率芯片互连结构及其互连方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410615601.3
IPC分类号：H01L23/538;H01L21/768
申请日期：
2014-11-05
申请人：
中国电子科技集团公司第四十三研究所

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著录项信息

专利名称	功率芯片互连结构及其互连方法
申请号	CN201410615601.3	申请日期	2014-11-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-02-04	公开/公告号	CN104332458A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/538 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/538 制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;3;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第四十三研究所	申请人地址	安徽省合肥市高新区合欢路19号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第四十三研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第四十三研究所
发明人	王腾;郑静;常永嘉;董晓伟
代理机构	合肥天明专利事务所（普通合伙）	代理人	孙永刚

摘要

本发明涉及混合集成电路功率芯片三维焊接互连技术，具体涉及一种功率芯片互连结构及其互连方法，该互连结构包括功率芯片、过渡金属片和铜带或铜框架，互连方法为：先在功率芯片上焊接过度金属片，通过过渡金属片实现功率芯片与基板过铜带的焊接互联。本发明采用梯度焊接的方式进行互联，可以在实现混合集成电路的功率芯片低功耗互连的同时，采用铜结构互连提高了互连可靠性，且结构简单，组装容易。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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