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一种温度敏感材料电子元器件及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310028847.6
  • IPC分类号:H01L35/10;H01L35/34
  • 申请日期:
    2013-01-25
  • 申请人:
    四川汇源科技发展股份有限公司
著录项信息
专利名称一种温度敏感材料电子元器件及其制备方法
申请号CN201310028847.6申请日期2013-01-25
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2013-06-05公开/公告号CN103137847A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L35/10IPC分类号H;0;1;L;3;5;/;1;0;;;H;0;1;L;3;5;/;3;4查看分类表>
申请人四川汇源科技发展股份有限公司申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西芯大道5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人四川汇源科技发展股份有限公司当前权利人四川汇源科技发展股份有限公司
发明人王晓川;张欣翼;许丽娜
代理机构电子科技大学专利中心代理人张杨
摘要
温度敏感材料电子元器件及其制备方法,属于电子材料与元器件技术领域。本发明的温度敏感材料电子元器件,包括带有凹槽的衬底、阻挡层、底电极、热释电材料和上电极,在上电极和底电极之间,设置有隔离层,上电极跨越隔离层和隔离层下方的底电极,连接到热释电材料。本发明具有如下的优点和积极效果:基于微机电光刻工艺成熟,能获得各种所需的阻挡层图形;图形的精度很高,加工精度可达数微米,能满足高密度、高精细的制备要求;工艺简单,重复性好,本发明可以有效防止电极间的短路,使热释电厚膜探测器获得良好的性能,且提高了探测器的成品率。

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