一种实现高脉冲功率磁控放电方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010301411.6
IPC分类号：H01J37/34
申请日期：
2010-02-09
申请人：
大连理工大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种实现高脉冲功率磁控放电方法
申请号	CN201010301411.6	申请日期	2010-02-09
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-11-23	公开/公告号	CN102254778A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/34 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B） H01J37/34 用阴极溅射工作的（H01J 37/36优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;4查看分类表>
申请人	大连理工大学	申请人地址	辽宁省大连市甘井子区凌工路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大连理工大学	当前权利人	大连理工大学
发明人	牟宗信;牟晓东;贾莉;郝胜智;王春;董闯
代理机构	大连理工大学专利中心	代理人	梅洪玉

摘要

本发明公开了一种实现高脉冲功率磁控放电方法，属于电工工程技术领域。其特征是该方法实现了通过调整横向磁场特性和非平衡磁场特性与磁控靶辉光放电的放电条件、瞬态特性相匹配，由电源的谐振特性与磁控靶的谐振特性相匹配，实现自触发和形成高脉冲功率磁控放电；磁控靶前设置空心阴极结构提高自触发等离子体的初始密度和放电功率密度，实现高脉冲功率磁控放电；与现有高脉冲功率磁控放电方法相比具有结构简单，对放电系统和电源要求低，工作可靠，从而实现更高工作效率和可靠性的放电方法。

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