加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410294978.3
  • IPC分类号:H01L29/40;H01L29/45;H01L21/28
  • 申请日期:
    2014-06-25
  • 申请人:
    英飞凌科技股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN201410294978.3申请日期2014-06-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-12-31公开/公告号CN104253150A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/40IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人英飞凌科技股份有限公司申请人地址
德国诺伊比贝尔格 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英飞凌科技股份有限公司当前权利人英飞凌科技股份有限公司
发明人G·施密特;M·米勒;F·J·桑托斯罗德里奎兹;D·施罗格尔
代理机构北京市金杜律师事务所代理人王茂华
摘要
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。功率半导体器件包括半导体本体,半导体本体具有横向相互相邻的有源区域和高压外围区域,高压外围区域横向围绕有源区域。该器件进一步包括:金属化层,在半导体本体的正面上并且连接至有源区域;第一阻挡层,包括高熔点金属或高熔点合金,在有源区域和金属化层之间;以及第二阻挡层,覆盖了外围区域的至少一部分,第二阻挡层包括非晶的半绝缘材料。第一阻挡层和第二阻挡层部分地重叠并且形成重叠区域。重叠区域延伸在有源区域的整个周界之上。也提供了一种用于制造该功率半导体器件的方法。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供