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使用扩散接触结构的基于交叉耦合的设计

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310042100.6
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/535
  • 申请日期:
    2013-02-01
  • 申请人:
    格罗方德半导体公司
著录项信息
专利名称使用扩散接触结构的基于交叉耦合的设计
申请号CN201310042100.6申请日期2013-02-01
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2014-02-12公开/公告号CN103579091A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;5查看分类表>
申请人格罗方德半导体公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人格芯(美国)集成电路科技有限公司当前权利人格芯(美国)集成电路科技有限公司
发明人M·拉希德;M·泰拉比;C·阮;D·多曼;J·金;X·齐;S·文卡特桑
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人程伟;王锦阳
摘要
本发明揭示一种用于提供使用扩散接触结构的基于交叉耦合的设计的方法。实施例包含下列步骤:提供在一衬底上方的第一及第二栅极结构;提供穿越该第一栅极结构的第一栅极截止区,以及穿越该第二栅极结构的第二栅极截止区;提供在该第一栅极结构上方的第一栅极接触件,以及在该第二栅极结构上方的第二栅极接触件;以及提供在该第一及该第二栅极截止区之间以使该第一栅极接触件耦合至该第二栅极接触件的一扩散接触结构。

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