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半导体元件及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810586454.X
  • IPC分类号:H01L27/11568
  • 申请日期:
    2018-06-08
  • 申请人:
    联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
著录项信息
专利名称半导体元件及其制作方法
申请号CN201810586454.X申请日期2018-06-08
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2019-12-17公开/公告号CN110581138A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/11568
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;8查看分类表>
申请人联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司当前权利人联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
发明人陈坤新;朱玄通;吕佐文;陈柏均
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陈小雯
摘要
本发明公开一种半导体元件及其制作方法,该制作半导体元件的方法为,首先提供一基底,该基底包含一存储器区以及一周边区,然后形成一第一凹槽以及一第二凹槽于该存储器区的基底内,其中第二凹槽宽度大于第一凹槽宽度。接着形成一第一衬垫层于第一凹槽以及第二凹槽内,形成一第二衬垫层于第一凹槽上,其中第二衬垫层完全填满第一凹槽并部分填满第二凹槽,之后再平坦化第二衬垫层以及第一衬垫层以形成一第一隔离结构以及一第二隔离结构。

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