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一种银掺杂的硅和二碲化钨复合负极材料及其制备方法、应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011064854.8
  • IPC分类号:H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2020-09-30
  • 申请人:
    合肥国轩高科动力能源有限公司
著录项信息
专利名称一种银掺杂的硅和二碲化钨复合负极材料及其制备方法、应用
申请号CN202011064854.8申请日期2020-09-30
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-01-29公开/公告号CN112289988A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M4/36IPC分类号H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;3;8;;;H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人合肥国轩高科动力能源有限公司申请人地址
安徽省合肥市新站区岱河路599号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人合肥国轩高科动力能源有限公司当前权利人合肥国轩高科动力能源有限公司
发明人刘盛华;林少雄;王辉;许家齐;齐美洲;辛昱;赵宇飞;张辰;丁男
代理机构合肥市长远专利代理事务所(普通合伙)代理人刘勇
摘要
本发明公开了一种银掺杂的硅和二碲化钨复合负极材料的制备方法,包括如下步骤:S1、将四氯化碲与离子液体混匀,在惰性气体氛围中,加热至溶液呈亮黄色,然后加入四氯化钨混匀得到前驱体溶液;S2、将前驱体溶液置于硅基底表面,微波辐照,粉碎,除磁得到复合材料;S3、将复合材料均匀分散于有机溶剂中,加入硝酸银混匀,然后进行还原反应得到银掺杂的硅和二碲化钨复合负极材料。本发明还公开了一种银掺杂的硅和二碲化钨复合负极材料及其应用。本发明制备硅和二碲化钨复合材料,改善硅材料体积膨胀和导电性差的问题,并结合银掺杂在提升材料导电性能的同时,改善二碲化钨二维结构循环过程中结构容易崩塌的问题,优化材料整体的电化学性能。

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