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金刚石薄膜场效应光电探测器的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910048331.1
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2009-03-26
  • 申请人:
    上海大学
著录项信息
专利名称金刚石薄膜场效应光电探测器的制备方法
申请号CN200910048331.1申请日期2009-03-26
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-09-09公开/公告号CN101527331
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人上海大学申请人地址
上海市宝山区上大路99号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海大学当前权利人上海大学
发明人王林军;方谦;黄健;肖琦;王俊;张弋;夏义本
代理机构上海上大专利事务所(普通合伙)代理人顾勇华
摘要
本发明涉及一种基于P型纳米金刚石薄膜/[100]定向金刚石薄膜场效应光电探测器的制备方法,属场效应光电探测器制造工艺技术领域。本发明的特点是:采用了肖特基场效应结构,并利用P型纳米金刚石薄膜作为表面P型沟道层;纳米金刚石薄膜的P型不是通过掺杂其他元素获得,而是采用氢等离子刻蚀的方法获得H终端P型纳米金刚石层。本发明的另一个特点是采用了除去传统的硅衬底的工艺,使有利于探测器在高温、高频、大功率领域及恶劣环境中的应用。

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