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相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410060770.1
  • IPC分类号:C23C14/08;C23C14/34
  • 申请日期:
    2004-08-25
  • 申请人:
    华中科技大学
著录项信息
专利名称相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法
申请号CN200410060770.1申请日期2004-08-25
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-03-23公开/公告号CN1598040
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/08IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4查看分类表>
申请人华中科技大学申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华中科技大学当前权利人华中科技大学
发明人王双保;周少波;陈四海;陈长虹;易新建
代理机构华中科技大学专利中心代理人朱仁玲
摘要
本发明提供了一种相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法,包括:在硅片上沉积氧化硅薄膜、氮化硅薄膜;采用离子束反应溅射法沉积氧化钒薄膜,工艺条件为:背底真空4×10-4Pa~3×10-3Pa,氧气压强6×10-4Pa~8×10-3Pa,氩气压强1×10-2Pa~2.3×10-2Pa,离子束流功率8W~60W,衬底温度120℃~450℃,溅射时间10~45分钟,靶材为钒靶;对样片进行退火处理,工艺条件为:气体为氩气或氮气,退火温度250℃~580℃,退火时间20~240分钟,得到相变的氧化钒薄膜。由本发明制备的氧化钒薄膜具有不同的相变温度点,可作成适用于不同温度的开关;保证温度控制操作时的高质量、高速度、高响应率。

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