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半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN02819881.6
  • IPC分类号:H01L29/732
  • 申请日期:
    2002-08-15
  • 申请人:
    索尼株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置及其制造方法
申请号CN02819881.6申请日期2002-08-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2005-01-12公开/公告号CN1565060
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/732
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;2查看分类表>
申请人索尼株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人索尼株式会社当前权利人索尼株式会社
发明人荒井千广
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波;侯宇
摘要
一种半导体装置,包括形成在半导体衬底1上的双极性晶体管,其中集电极区域13形成在半导体衬底1上;具有位于集电极区域13中的第一开口51的第一绝缘层13形成在半导体衬底1的表面上;以及基极半导体层14B被形成并通过第一开口51与集电极区域接触。基极半导体层14B被形成使得其边缘延伸到第一绝缘层31上。发射极半导体层14E形成在该基极半导体层上的一预定区域中;第二绝缘层32形成在第一绝缘层31上并覆盖基极半导体层14的边缘;开设基极半导体层14B和发射极半导体层14E之间的接触部分的第二开口52和开设基极半导体层14B的基极电极引出部分的第三开口53被形成;以及金属硅化物层15形成在第三开口53内的上述基极半导体层的表面上。

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