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半导体器件及其操作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210375710.3
  • IPC分类号:G11C16/10;G11C16/06
  • 申请日期:
    2012-09-29
  • 申请人:
    爱思开海力士有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及其操作方法
申请号CN201210375710.3申请日期2012-09-29
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2013-04-10公开/公告号CN103035292A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C16/10IPC分类号G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;G;1;1;C;1;6;/;0;6查看分类表>
申请人爱思开海力士有限公司申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人爱思开海力士有限公司当前权利人爱思开海力士有限公司
发明人李晋行
代理机构北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)代理人石卓琼;郭放
摘要
一种操作半导体器件的方法,包括:选择存储器单元阵列中所包括的多个存储器单元块中的一个;对与选中的存储器单元块的字线中的选中的字线耦接的偶数编号的存储器单元进行编程;对与选中的字线耦接的奇数编号的存储器单元进行编程;对与和选中的字线相邻的下一个字线耦接的奇数编号的存储器单元进行编程;以及,对与所述下一个字线耦接的偶数编号的存储器单元进行编程,其中,重复编程,直到完成对与选中的存储器单元块的所有字线耦接的选中的存储器单元的编程。

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