一种雾化冷等离子体射流发生装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201710634144.6
IPC分类号：H05H1/42
申请日期：
2017-08-01
申请人：
大连理工大学

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著录项信息

专利名称	一种雾化冷等离子体射流发生装置
申请号	CN201710634144.6	申请日期	2017-08-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-02-12	公开/公告号	CN109327954A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05H1/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05H 等离子体技术（离子束管入H01J 27/00；磁流体发电机入H02K 44/08；涉及生成等离子体的产生X射线的入H05G 2/00）；加速的带电粒子或中子的产生（从放射源获取中子的入G21，例如：G21B，G21C，G21G）；中性分子或原子射束的产生或加速（原子钟入G04F 5/14；受激发射器件入H01S；通过与由分子、原子或亚原子粒子的能级所确定的基准频率相比较而进行频率调整的入H03L 7/26） H05H1/00 等离子体的产生；等离子体的处理（等离子体技术在热核聚变反应器的应用入G21B 1/00） H05H1/24 等离子体的产生〔2〕 H05H1/26 等离子体喷管〔2〕 H05H1/32 应用电弧的（H05H 1/28优先）〔3〕 H05H1/42 带有向等离子体中引入材料的，例如粉末、液体（静电喷射装置、能使喷雾带电的喷射装置入B05B 5/00）〔3〕	IPC分类号	H;0;5;H;1;/;4;2查看分类表>
申请人	大连理工大学	申请人地址	辽宁省大连市甘井子区凌工路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大连理工大学	当前权利人	大连理工大学
发明人	刘新;王冠淞;刘硕;刘吉宇;宋金龙;孙晶;陈发泽
代理机构	大连理工大学专利中心	代理人	温福雪;侯明远

摘要

一种雾化冷等离子体射流发生装置，包括供气系统、雾化系统、高压电源、冷离子体射流发生装置、圆柱形外壳。冷等离子体射流发生装置安装于圆柱形外壳内，二者同轴；供气系统从尾部将工作气体输入冷等离子体射流发生装置；高压电源的高、低压输出端与冷等离子体射流发生装置的电极连接；雾化装置将雾化液体输入圆柱形外壳内部。冷等离子体射流发生装置所产生的冷等离子体射流喷出时在圆柱形外壳内部产生负压，将雾化液体引入圆柱形外壳并与冷等离子体射流混合，形成雾化冷等离子体射流在圆柱形外壳出口处喷出。本发明获得均匀稳定的雾化冷等离子体射流，而且有利于提高等离子体对固体表面的亲水性改性效果和切削过程中切削接触区的冷却润滑效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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