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一种大面积弹性CsPbBr<sub>3</sub>单晶薄膜材料及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010285496.7
  • IPC分类号:C30B29/12;C30B29/64;C30B7/06
  • 申请日期:
    2020-04-13
  • 申请人:
    南京理工大学
著录项信息
专利名称一种大面积弹性CsPbBr<sub>3</sub>单晶薄膜材料及其制备方法
申请号CN202010285496.7申请日期2020-04-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-10-22公开/公告号CN113529167A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B29/12IPC分类号C;3;0;B;2;9;/;1;2;;;C;3;0;B;2;9;/;6;4;;;C;3;0;B;7;/;0;6查看分类表>
申请人南京理工大学申请人地址
江苏省南京市孝陵卫200号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京理工大学当前权利人南京理工大学
发明人赵泽恩;曹博;袁国亮
代理机构南京理工大学专利中心代理人暂无
摘要
本发明公开了一种大面积弹性CsPbBr3单晶薄膜材料及其制备方法,该单晶薄膜材料通过特殊旋涂法在弹性聚合物表面生长获得,该薄膜材料为最大面积可达100 cm2、厚度小于10μm的立方相CsPbBr3(100)单晶薄膜,且该单晶薄膜表面粗糙度Ra不超过15 nm。此外,通过该方法制备的单晶薄膜具备较好弹性,沿该单晶薄膜表面单一方向进行机械拉伸,其最大应变量可达到11.23%,而沿平面内相互垂直的两个方向同时进行相同应变的机械拉伸,其单个方向上最大应变量可达到5.33%,有利于CsPbBr3基器件应用领域的拓展以及进一步通过应力调节开发单晶薄膜光电相关性能。

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