一种带有高效降温结构的IGBT功率管

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201721226097.3
IPC分类号：H01L23/04;H01L23/16;H01L23/18;H01L23/367;H01L23/467;H01L23/473
申请日期：
2017-09-23
申请人：
广东瑞森半导体科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种带有高效降温结构的IGBT功率管
申请号	CN201721226097.3	申请日期	2017-09-23
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/02 容器；封接（H01L 23/12，H01L 23/34，H01L 23/48，H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/04 按外形区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;0;4;;;H;0;1;L;2;3;/;1;6;;;H;0;1;L;2;3;/;1;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;7;3查看分类表>
申请人	广东瑞森半导体科技有限公司	申请人地址	广东省东莞市南城街道黄金路1号东莞天安数码城B2栋404 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东瑞森半导体科技有限公司	当前权利人	广东瑞森半导体科技有限公司
发明人	龙立
代理机构	广州市一新专利商标事务所有限公司	代理人	欧阳学仕

摘要

本实用新型公开了一种带有高效降温结构的IGBT功率管，所述IGBT功率管的两侧表面下部均开设有卡接槽，所述插接槽的两侧壁下部均内嵌装设有卡接件，所述安装基座的上表面还涂覆有感温变色涂料，所述安装基座的内部开设有冷却水通道，所述散热槽的内部加设有鳞状的散热片，所述安装基座的底面两端还通过铰链铰接有鼓气风机。本实用新型采用伸缩式的半球形卡接块对IGBT功率管进行限位，兼具稳固限位和拆卸方便双重优点，加设的感温变色涂料能够在IGBT功率管的温度变化时进行变色提醒，加设的冷却水通道可接入自来水管道，连续的S形设计能够提高散热、降温的功效，独立式供电且可改变出风方向的鼓气风机设计起到辅助风冷降温的作用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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