一种全晶体光纤及包层制作工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN201810072452.9
IPC分类号：H01S3/067;C30B15/34;C30B15/08
申请日期：
2018-01-25
申请人：
同济大学

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专利名称	一种全晶体光纤及包层制作工艺
申请号	CN201810072452.9	申请日期	2018-01-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-17	公开/公告号	CN108418085A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S3/067 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S3/00 激光器，即利用受激发射对红外光、可见光或紫外线进行产生、放大、调制、解调或变频的器件（半导体激光器入H01S 5/00） H01S3/05 光学谐振器的结构或形状；包括激活介质的调节；激活介质的形状 H01S3/06 激活介质的结构或形状 H01S3/063 波导激光器，例如激光放大器〔7〕 H01S3/067 纤维激光器〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;3;/;0;6;7;;;C;3;0;B;1;5;/;3;4;;;C;3;0;B;1;5;/;0;8查看分类表>
申请人	同济大学	申请人地址	上海市杨浦区四平路1239号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	同济大学	当前权利人	同济大学
发明人	徐军;王东海;李纳;薛艳艳;罗平;王庆国;唐慧丽
代理机构	上海科盛知识产权代理有限公司	代理人	蒋亮珠

摘要

本发明涉及一种全晶体光纤及包层制作工艺，包括以下步骤：(1)用微下拉或导模法，或是激光加热基座法得到直径0.1‑3mm的晶体光纤；(2)采用微孔晶体生长方法得到长度大于等于光纤长度的微孔晶体，或者用机械加工的方法在晶体棒中心打孔得到带有微孔的晶体套管，套管的芯径略大于光纤的直径；(3)将步骤1得到的晶体光纤插入步骤2得到的微孔晶体或晶体套管中，在微下拉炉或激光加热炉内熔化部分晶体光纤，将晶体光纤作为原料和籽晶，晶体套管为坩埚，熔化的部分晶体光纤在未熔化的晶体光纤表面结晶，完成整个长晶过程。与现有技术相比，本发明能够获得晶体芯和晶体包层的无缝连接，获得均匀的折射率分布，从而有可能获得高功率的晶体光纤激光器。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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