控制Taiko晶圆断差的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110169980.8
IPC分类号：H01L21/02;B24B1/00
申请日期：
2021-02-05
申请人：
华虹半导体（无锡）有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	控制Taiko晶圆断差的方法
申请号	CN202110169980.8	申请日期	2021-02-05
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-18	公开/公告号	CN112992655A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;B;2;4;B;1;/;0;0查看分类表>
申请人	华虹半导体（无锡）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新吴区新洲路30号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华虹半导体（无锡）有限公司	当前权利人	华虹半导体（无锡）有限公司
发明人	付先达;苏亚青;谭秀文
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	栾美洁

摘要

本发明公开了一种控制Taiko晶圆断差的方法，在Taiko减薄工艺中，先对不同晶圆的边缘进行预研磨，使预研磨后所有晶圆的边缘的厚度T1等于Taiko晶圆的目标厚度T2与断差D之和，所述断差D为Taiko减薄工艺形成的支撑环的高度与Taiko晶圆的目标厚度T2的差值。本发明充分考虑不同晶圆的初始厚度存在一定差异的情况，在对晶圆进行Taiko减薄工艺之前，先对晶圆进行预研磨，使进行Taiko减薄工艺的晶圆边缘的厚度保持一致，然后再对预研磨后的晶圆进行Taiko减薄工艺，这样就可以保证晶圆完成Taiko减薄后的断差一致，从而保证在对支撑环进行环切作业时不需要频繁地更换环切设备中的侧支撑部，从而显著提升机台的运行时间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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