一种基于MoO3／Ag阳极的有机太阳能电池及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310729340.3
IPC分类号：H01L51/42;H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48
申请日期：
2013-12-20
申请人：
西安电子科技大学

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著录项信息

专利名称	一种基于MoO3／Ag阳极的有机太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201310729340.3	申请日期	2013-12-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-09	公开/公告号	CN103715356A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/42 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6;;;H;0;1;L;5;1;/;4;4;;;H;0;1;L;5;1;/;4;8查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市太白南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	张春福;王之哲;陈大正;陆小力;郝跃;魏炜;高汭;孙丽
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种基于MoO3／Ag阳极的有机太阳能电池及其制备方法，所述基于MoO3／Ag阳极的有机太阳能电池自下而上依次包括厚度为1mm的玻璃衬底，厚度为2‑10nm的MoO3中间层和厚度为7‑13nm的Ag层，厚度为10nm的MoO3空穴传输层，厚度为80‑100nm的P3HT∶PCBM有效层，厚度为100nm的Al阴极层。本发明的基于MoO3／Ag阳极的有机太阳能电池充分利用了Ag本征的柔韧性和高电导率，使得电极能适用于柔性衬底，进而应用到有机太阳能电池卷对卷大规模生产中去；同时MoO3中间层的引入，能够促进Ag膜的横向生长和降低所需要Ag层的厚度，进一步减少电极成本。

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