结晶生长晶体的质量评价方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610087066.4
IPC分类号：C30B35/00
申请日期：
2006-06-14
申请人：
希特隆股份有限公司

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著录项信息

专利名称	结晶生长晶体的质量评价方法
申请号	CN200610087066.4	申请日期	2006-06-14
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-02-21	公开/公告号	CN1916245
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B35/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B35/00 未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的一般装置〔3，5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;5;/;0;0查看分类表>
申请人	希特隆股份有限公司	申请人地址	韩国庆尚北道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	希特隆股份有限公司	当前权利人	希特隆股份有限公司
发明人	金珍根;赵铉鼎
代理机构	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司	代理人	武玉琴;张友文

摘要

本发明提供结晶生长晶体的质量评价方法，包括确定切断位置和取样位置的步骤和试样评价步骤，前一步骤包括：a)确定试样位置，输入按照不同装备、不同制品确定切断位置、取样位置和最初位置的基本信息；b)按基本信息预先确定切断位置、最初位置和取样位置；c)监控晶体生长过程，分析和保存与晶体的生长相关的X因素；d)反映基本信息和X因素，确定切断位置和取样位置。这样，在选择分辨监控的影响晶体质量的主要因素(X因素)后，以进行统一对比和分析为基础，制定确定切断位置和取样位置、取样数的规则，使剩余检验和不使用的最初的量最小化，把数据制作成数据库，用自动化系统构建切断和取样业务，可以使操作人员和现场的业务量减少。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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