碳化硅晶体生长装置及其生长方法、碳化硅晶锭

发明专利有效专利

申请号：
CN202011511534.2
IPC分类号：C30B23/00;C30B29/36
申请日期：
2020-12-18
申请人：
浙江博蓝特半导体科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	碳化硅晶体生长装置及其生长方法、碳化硅晶锭
申请号	CN202011511534.2	申请日期	2020-12-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-30	公开/公告号	CN112725886A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B23/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;3;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人	浙江博蓝特半导体科技股份有限公司	申请人地址	浙江省金华市南二环西路2688号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江博蓝特半导体科技股份有限公司	当前权利人	浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
发明人	徐良;曹力力;蓝文安;刘建哲;余雅俊;郭炜;李京波;夏建白
代理机构	北京辰权知识产权代理有限公司	代理人	金铭

摘要

本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置及其生长方法、碳化硅晶锭，该碳化硅晶体生长装置包括石墨坩埚和加热装置，石墨坩埚包括呈上大下小圆台状的坩埚本体，所述坩埚本体包括具有开口的容纳腔；所述加热装置可上下移动的设置在所述坩埚本体外部。该碳化硅晶体生长装置采用外形呈上大下小圆台状的石墨坩埚，相对于直立结构坩埚其能够改变坩埚本体内部晶体生长的温度场，有利于生长形状平整的大尺寸高质量碳化硅晶锭，同时更加节约碳化硅晶体生长原料，而且加热装置可以相对于坩埚上下移动，能够进一步有利于晶锭长度的增加。

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