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高吸收热电堆及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010874367.1
IPC分类号：H01L35/32;B82Y40/00;G01J5/12;H01L35/02;H01L35/34
申请日期：
2020-08-26
申请人：
中国科学院微电子研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高吸收热电堆及其制作方法
申请号	CN202010874367.1	申请日期	2020-08-26
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-20	公开/公告号	CN111969098A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L35/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L35/00 包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件（由一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L35/28 只利用Peltier或Seebeck效应进行工作的〔2〕 H01L35/32 按构成器件的电池或热电偶的结构或排列区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;5;/;3;2;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;G;0;1;J;5;/;1;2;;;H;0;1;L;3;5;/;0;2;;;H;0;1;L;3;5;/;3;4查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	周娜;毛海央;李俊杰;高建峰;杨涛;李俊峰;王文武;陈大鹏
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	暂无

摘要

一种高吸收热电堆及其制作方法，所述热电堆包括红外吸收层；其中，所述红外吸收层包括旋涂碳材质。本发明首次将旋涂碳材质应用到热电堆作为红外吸收层材料，利用该旋涂碳材质增强红外吸收层的吸光效果，提高热电堆的红外吸收性能。

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