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像素结构及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200710140023.2
  • IPC分类号:H01L21/84;H01L27/12
  • 申请日期:
    2007-08-07
  • 申请人:
    友达光电股份有限公司
著录项信息
专利名称像素结构及其制作方法
申请号CN200710140023.2申请日期2007-08-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2008-01-09公开/公告号CN101101893
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/84
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人友达光电股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人友达光电股份有限公司当前权利人友达光电股份有限公司
发明人丘大维;郑逸圣;颜士益
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人陈晨
摘要
本发明主要是提供一种像素结构及其制作方法,其特别是先在栅极介电层形成后覆盖由钼所构成的导电层、氧化硅所构成的介电层以及铝层于栅极介电层上,然后进行等向性蚀刻工艺,以同时在水平及垂直方向均匀去除部分该铝层。本发明可通过此制作方法来将公知在形成源极/漏极区域前所需要的三道掩模简化为两道,进而达到节省成本的目的。根据本发明另一个实施例,本发明又可在制作电容时在电容电极(亦即上述由钼所构成的导电层)上形成由氧化硅及铝层所构成的堆叠结构,并通过这两层堆叠的结构来提升电容的储存能力。

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