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一种基于界面极化子效应的半导体太阳能电池及制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210028953.X
  • IPC分类号:H01L31/032;H01L31/04
  • 申请日期:
    2012-02-10
  • 申请人:
    河南科技大学
著录项信息
专利名称一种基于界面极化子效应的半导体太阳能电池及制备方法
申请号CN201210028953.X申请日期2012-02-10
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2012-07-04公开/公告号CN102544133A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/032
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;4查看分类表>
申请人河南科技大学申请人地址
河南省洛阳市涧西区西苑路48号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人河南科技大学当前权利人河南科技大学
发明人李国岭;李立本;王丹丹;曹京晓;王赵武
代理机构洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)代理人孙笑飞
摘要
一种基于界面极化子效应的半导体太阳能电池及制备方法,由两片大小相同的导电玻璃和一层极化子氧化物薄膜构成中心对称结构,极化子氧化物薄膜夹在两片导电玻璃之间,并将两片导电玻璃隔开,导电玻璃与极化子氧化物薄膜相邻的一面具有导电膜,两片导电玻璃错开设置,导电玻璃的一端边缘与极化子氧化物薄膜边缘对齐,另一端突出于极化子氧化物薄膜,两片导电玻璃突出于极化子氧化物薄膜部分的导电膜分别与电池的正、负极引线连接。极化子氧化物薄膜由极化子氧化物经研磨后涂在导电玻璃上,经热处理制成。该半导体太阳能电池制作工艺很简单,适合大规模生产,具有原料成本低、稳定性好、无环境污染、制作工艺简单、元素丰度高等方面的优势。

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