成膜装置及其方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200510092786.5
IPC分类号：C23C16/00;C23C16/455;C23C16/52;C23C16/34;H01L21/205;H01L21/66
申请日期：
2005-08-25
申请人：
东京毅力科创株式会社;株式会社堀场制作所

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著录项信息

专利名称	成膜装置及其方法
申请号	CN200510092786.5	申请日期	2005-08-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2006-07-19	公开/公告号	CN1804114
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;0;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2;;;C;2;3;C;1;6;/;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社;株式会社堀场制作所	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社,株式会社堀场制作所	当前权利人	东京毅力科创株式会社,株式会社堀场制作所
发明人	长谷部一秀;野寺伸武;远藤笃史;梅木诚;西村克美;南雅和;吉田诚
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	胡建新

摘要

本发明提供一种半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法，它能够以最佳的清洁时间进行清洁。本发明的半导体处理用的成膜装置，包括：清洁气体供给系统(17)、浓度测定部(27)、以及信息处理部(102)。清洁气体供给系统(17)向反应室内供给，从反应室(2)的内面去除来源于成膜气体的副生成物膜的用于清洁处理的清洁气体。浓度测定部(27)设置在排气系统(GE)，用于监控从反应室(2)排出的排出气体所包含的预定成分的浓度。信息处理部(102)比较在浓度测定部(27)获得的测定值和预设定值，决定清洁处理的结束点。

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