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一种降低等离子喷涂硅灰石涂层溶解度的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010616022.2
  • IPC分类号:C23C4/12;C23C4/10
  • 申请日期:
    2010-12-27
  • 申请人:
    华东理工大学
著录项信息
专利名称一种降低等离子喷涂硅灰石涂层溶解度的方法
申请号CN201010616022.2申请日期2010-12-27
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2011-07-20公开/公告号CN102127730A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C4/12IPC分类号C;2;3;C;4;/;1;2;;;C;2;3;C;4;/;1;0查看分类表>
申请人华东理工大学申请人地址
上海市徐汇区梅陇路130号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华东理工大学当前权利人华东理工大学
发明人王卫泽;梁佳春;轩福贞;洪火星;涂善东
代理机构上海顺华专利代理有限责任公司代理人谈顺法
摘要
本发明提供一种降低等离子喷涂硅灰石涂层溶解度的方法。涂层喷涂前,利用等离子喷涂系统的等离子焰流作为热源,对基体表面预热。当基体达到400℃~600℃时立刻进行喷涂,实现涂层结晶度提高以及孔隙率的降低,从而达到降低涂层溶解度并提高涂层在体内稳定性的目的。本发明提供的降低等离子喷涂硅灰石涂层溶解度的方法具有工艺简单、易于操作、效果显著等特点。

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