光电探测单元、光电探测结构和光电探测器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911141576.9
IPC分类号：H01L31/10;H01L27/144
申请日期：
2019-11-20
申请人：
深圳市灵明光子科技有限公司

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专利名称	光电探测单元、光电探测结构和光电探测器及其制备方法
申请号	CN201911141576.9	申请日期	2019-11-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-21	公开/公告号	CN112825339A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;4查看分类表>
申请人	深圳市灵明光子科技有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区西丽街道高新技术产业园北区清华信息港科研楼4层410号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市灵明光子科技有限公司	当前权利人	深圳市灵明光子科技有限公司
发明人	臧凯;李爽;张超
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	汪洁丽

摘要

本申请涉及光电探测单元、光电探测结构及其制备方法、光电探测器及其制备方法，其中，光电探测单元包括第一基底；第一结构，具有第一掺杂类型，形成于第一基底的正面上；第二结构，具有第二掺杂类型，形成于第一结构内，第一结构具有包围第二结构底面和侧面的底壁和侧壁；第一光处理层，具有凹凸结构，形成于第二结构的上表面；重掺杂区，具有第一掺杂类型，形成于侧壁内，重掺杂区的掺杂浓度大于侧壁的掺杂浓度；第一电极，与重掺杂区电连接；第二电极，与第二结构电连接。在本申请中，第一结构和第二结构形成光探测层，在光探测层上形成第一光处理层，通过第一光处理层对入射光线进行多次反射以增加光程，提高光探测层的光吸收效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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