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氮化镓电子器件的欧姆接触的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711287917.4
  • IPC分类号:H01L29/45
  • 申请日期:
    2017-12-07
  • 申请人:
    华南理工大学
著录项信息
专利名称氮化镓电子器件的欧姆接触的制备方法
申请号CN201711287917.4申请日期2017-12-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-06-29公开/公告号CN108231877A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/45IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;5查看分类表>
申请人华南理工大学申请人地址
广东省广州市南沙区环市大道南路25号华工大广州产研院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南理工大学当前权利人华南理工大学
发明人李国强;刘智崑;陈丁波;万利军
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司代理人陈文姬
摘要
本发明公开了一种氮化镓电子器件的欧姆接触的制备方法,在氮气氛围下,采用激光扫描含钛金属电极,通过激光引发含钛金属电极与氮气的化学反应,形成氮化钛欧姆接触;单位面积含钛金属电极的总化学反应时间小于0.01s。本发明所获得的欧姆接触的接触电阻小,反应时间短,而且GaN薄膜材料的电性能不受影响。本发明是一种快速的氮化镓器件欧姆接触制备方法,对于实现高性能的氮化镓电子器件同时提高生产效率有重要的意义。

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