形成半导体器件微图案的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810130740.1
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/02;H01L21/033;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/822;H01L21/768
申请日期：
2008-07-14
申请人：
海力士半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	形成半导体器件微图案的方法
申请号	CN200810130740.1	申请日期	2008-07-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-03-11	公开/公告号	CN101383270
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;3;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;1;3;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	海力士半导体有限公司	申请人地址	韩国京畿道利川市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	海力士半导体有限公司	当前权利人	海力士半导体有限公司
发明人	郑宇荣
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	刘继富;顾晋伟

摘要

一种形成半导体器件微图案的方法，在半导体衬底上形成蚀刻目标层、硬掩模层、含硅的底部抗反射涂层(BARC)和第一辅助图案。蚀刻含硅BARC层以形成含硅BARC图案。在含硅BARC图案和第一辅助图案的表面上形成绝缘层。在硬掩模层和绝缘层上形成第二辅助层。实施蚀刻工艺使得第二辅助层保留在含硅BARC图案之间的硬掩模层上，由此形成第二辅助图案。除去在第一辅助图案上以及含硅BARC图案与第二辅助图案之间的单元栅极区域中绝缘层。蚀刻硬掩模层，由此形成硬掩模图案。使用硬掩模图案作为蚀刻掩模对蚀刻目标层进行蚀刻。

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