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在半导体器件中形成接触插塞的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510136239.2
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2005-12-23
  • 申请人:
    海力士半导体有限公司
著录项信息
专利名称在半导体器件中形成接触插塞的方法
申请号CN200510136239.2申请日期2005-12-23
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2006-12-06公开/公告号CN1873945
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人海力士半导体有限公司申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人海力士半导体有限公司当前权利人海力士半导体有限公司
发明人朴信胜
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波;侯宇
摘要
一种形成半导体器件的接触插塞的方法,包括以下步骤:在半导体衬底上形成源极/漏极结单元设在一表面;在包括源极/漏极结单元的半导体衬底的整个表面上形成具有顶面且包括接触孔的层间绝缘膜;在接触孔中形成具有一顶面的接触插塞;利用蚀刻工艺选择性地蚀刻层间绝缘膜,使得接触插塞的顶面成为高于层间绝缘膜的顶面;以及在包括接触插塞的层间绝缘膜上形成金属层。其中,在层间绝缘膜中形成接触插塞之后,选择性地蚀刻层间绝缘膜,使得接触插塞的顶面高于层间绝缘膜的顶面。这样就有可能防止在随后于层间绝缘膜中形成金属层时产生空隙。

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