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制造设备

发明专利无效专利

申请号：
CN03152528.8
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/203;H05B33/10;C23C14/24
申请日期：
2003-08-01
申请人：
株式会社半导体能源研究所

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制造设备
申请号	CN03152528.8	申请日期	2003-08-01
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-03-10	公开/公告号	CN1480984
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;3;;;H;0;5;B;3;3;/;1;0;;;C;2;3;C;1;4;/;2;4查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县厚木市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	山崎舜平;村上雅一
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	吴立明;梁永

摘要

本发明提供一种蒸发设备和蒸发方法，该蒸发设备是一种膜形成装置，并提供EL层膜厚的优异均匀性、优异生产率和EL材料的提高的利用效率。本发明的特征在于在蒸发期间其中设置封闭蒸发材料的容器的蒸发源固定器可以一定间距相对于衬底移动。此外，膜厚监视器与蒸发源固定器结合在一起，用于移动。此外，通过根据由膜厚监视器检测的值调整蒸发源固定器的移动速度，可以使膜厚均匀。

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