具有降低的结温的功率模块及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810194280.2
IPC分类号：H01L23/13;H01L23/535;H01L21/50
申请日期：
2018-03-09
申请人：
南京银茂微电子制造有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有降低的结温的功率模块及其制造方法
申请号	CN201810194280.2	申请日期	2018-03-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-09-17	公开/公告号	CN110246808A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/13 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/12 安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底〔2〕 H01L23/13 按形状特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;1;3;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;5;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人	南京银茂微电子制造有限公司	申请人地址	江苏省南京市溧水经济开发区秀山西路9号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京银茂微电子制造有限公司	当前权利人	南京银茂微电子制造有限公司
发明人	庄伟东;姚二现
代理机构	南京苏创专利代理事务所（普通合伙）	代理人	曹成俊

摘要

本发明公开了一种具有降低的结温的功率模块及其制造方法，所述功率模块的结构包括上DBC层、功率芯片层、下DBC层及散热器，上DBC层自上而下依次包括上铜箔层、上陶瓷层、上线路层，功率芯片层包括功率芯片、键合金属片及引线金属片，下DBC层自上而下依次包括下线路层、下陶瓷层、下铜箔层，散热器直接与下铜箔层接触，功率芯片直接铺设在下线路层上，上线路层与功率芯片接触，功率芯片通过键合金属片和上线路层进行相互之间的连接并且最终通过引线金属片连接到信号端子和功率端子。本发明的结构可以有效降低芯片运行时的结温，适合于硅和化合物半导体功率模块。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供