一种栅工艺处理中的多层膜结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN02261131.2
IPC分类号：--
申请日期：
2002-10-31
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种栅工艺处理中的多层膜结构
申请号	CN02261131.2	申请日期	2002-10-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹NEC电子有限公司	当前权利人	上海华虹NEC电子有限公司
发明人	肖胜安;汪激洋;吴志丹;陈菊英;任昱
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	陶金龙;陆飞

摘要

本实用新型涉及一种栅工艺中的多层膜结构。具体是在栅成长之后，依次成长一层掺磷浓度低的多晶硅、一层浓度高的多晶硅、一层掺磷浓度低或不掺磷的多晶硅。第一层掺磷低的多晶硅在回刻后表面比较平整，以保证栅附近在回刻后不出现凹陷，使栅不受到损伤。在第三层低掺磷或不掺磷多晶硅的回刻速率低，减少回刻后沟槽中心的凹陷深度，使之在后来成长金属膜时不形成空洞。同时通过调整第一，第二层多晶硅的掺磷浓度和厚度，可以保证在回刻后获得同等的栅极电阻。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供