一种多晶硅薄膜的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410598219.6
IPC分类号：C30B28/14;C30B29/06
申请日期：
2014-10-30
申请人：
上海科慧太阳能技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种多晶硅薄膜的制备方法
申请号	CN201410598219.6	申请日期	2014-10-30
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-02-04	公开/公告号	CN104328493A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B28/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B28/00 制备具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕 C30B28/12 由气态直接制备〔5〕 C30B28/14 用反应气体的化学反应法〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;8;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	上海科慧太阳能技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市福田区深南大道特区报业大厦1306房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	安科智慧城市技术（中国）有限公司	当前权利人	安科智慧城市技术（中国）有限公司
发明人	李慧
代理机构	深圳市凯达知识产权事务所	代理人	任转英;刘大弯

摘要

本发明涉及一种低温条件下的大面积多晶硅薄膜的制备方法，对衬底先进行常规清洗后，放置于真空镀膜系统中，使用氢气对衬底再进行等离子体原位清洗；采用硅烷和氢气为反应气体，在衬底上进行预沉积得到薄膜，将得到的薄膜采用氢气进行等离子刻蚀，对蚀刻后的薄膜进行再次沉积得到多晶硅薄膜。本发明的技术方案可制备廉价的高质量大面积的多晶硅薄膜，其晶粒晶界少，晶化程度高，晶粒大，用于太阳能电池上可望提高多晶硅薄膜太阳能电池的性能，同时在光电子器件等其他领域得到应用。

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