显示装置的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810099592.1
IPC分类号：H01L21/28;H01L21/768;H01L21/84;H01L23/532;H01L29/43;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1343;H01B13/00;H01B5/14
申请日期：
2008-05-15
申请人：
株式会社神户制钢所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	显示装置的制造方法
申请号	CN200810099592.1	申请日期	2008-05-15
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-12-31	公开/公告号	CN101335202
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;2;;;H;0;1;L;2;9;/;4;3;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;4;3;;;H;0;1;B;1;3;/;0;0;;;H;0;1;B;5;/;1;4查看分类表>
申请人	株式会社神户制钢所	申请人地址	日本兵库县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社神户制钢所	当前权利人	株式会社神户制钢所
发明人	后藤裕史
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汪惠民

摘要

本发明提供一种直接接触技术，由于不仅可降低Al合金膜和透明像素电极之间的接触电阻而且耐热性也优良，因而可使Al合金膜与透明像素电极直接接触，而且既可进一步降低Al合金的电阻又可进一步提高生产效率。显示装置的制造方法中在基板上具备有氧化物透明导电膜和Al合金膜直接接触的构造，其中Al合金膜含有选自Ag、Zn、Cu及Ni群的至少一种合金元素为0.5原子％以下，并将基板的温度控制在合金元素的析出温度以上进行Al合金膜的形成。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供