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氮化镓成形物及其制造方法以及氮化镓溅射靶材

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510648721.8
  • IPC分类号:C04B35/58;C22C29/16;C23C14/34
  • 申请日期:
    2011-12-20
  • 申请人:
    东曹株式会社
著录项信息
专利名称氮化镓成形物及其制造方法以及氮化镓溅射靶材
申请号CN201510648721.8申请日期2011-12-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-02-24公开/公告号CN105347800A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/58IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;8;;;C;2;2;C;2;9;/;1;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4查看分类表>
申请人东曹株式会社申请人地址
日本山口县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东曹株式会社当前权利人东曹株式会社
发明人召田雅实;松丸庆太郎;高桥小弥太;菊池僚;涩田见哲夫
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘新宇;李茂家
摘要
本发明提供不使用特殊装置的、高密度且低氧量的氮化镓成形物及其制造方法以及氮化镓溅射靶材。根据第二实施方式,可以获得一种金属镓浸透氮化镓成形物,其特征在于,其包含以各自的相的形式存在的氮化镓相和金属镓相,Ga/(Ga+N)的摩尔比为55%以上且80%以下。

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