一种用于大功率半导体器件的冷却装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202021712433.7
IPC分类号：H01L23/367;H01L23/467;H01L23/473
申请日期：
2020-08-17
申请人：
苏州融思达电子技术有限公司

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专利名称	一种用于大功率半导体器件的冷却装置
申请号	CN202021712433.7	申请日期	2020-08-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/367 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/367 为便于冷却的器件造型〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;7;3查看分类表>
申请人	苏州融思达电子技术有限公司	申请人地址	江苏省苏州市苏州工业园区金陵东路266号1幢五层西区编号L-2 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州融思达电子技术有限公司	当前权利人	苏州融思达电子技术有限公司
发明人	不公告
代理机构	上海宏京知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李倩倩

摘要

本实用新型提供了一种用于大功率半导体器件的冷却装置，本实用新型涉及冷却装置技术领域，一种用于大功率半导体器件的冷却装置，包括冷却管，冷却管内部固定有若干个呈均匀分布的导热环，导热环内均固定有空心球，空心球表面开有若干个通孔，通孔延伸至空心球内部；冷却管上方设有风管，风管上侧熔接有若干个与其相通的喷风头，且风管右端为封闭端，风管左端固定有与其相通的进风管；本实用新型的有益效果在于：冷却管内的水可充分吸收大功率半导体器件上的热量，达到水吸热最大化，可同时利用风对大功率半导体器件进行散热和冷却管内的水对大功率半导体器件进行降温，使得大功率半导体器件降温效果更佳。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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