含有二极管的掩模式只读存储器及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02152773.3
IPC分类号：H01L27/102;H01L21/8229
申请日期：
2002-11-27
申请人：
旺宏电子股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	含有二极管的掩模式只读存储器及其制造方法
申请号	CN02152773.3	申请日期	2002-11-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-06-09	公开/公告号	CN1503365
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/102 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/102 包含双极型组件的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2;9查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	赖昇志;龙翔澜;陈逸舟
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	楼仙英;陈红

摘要

本发明提供一种含有二极管的掩模式只读存储器及其制造方法。该含有二极管的掩模式只读存储器包括：一半导体基底；一绝缘层，位于该半导体基底上；在第一方向设置的多条第一导线，位于该绝缘层上；由不同导电型的两个多晶硅层所构成的多个垂直式PN二极管，位于该第一导线上；多个介电层，位于部分二极管上，二极管上有介电层的定义为逻辑“0”，而二极管上没有介电层者定义为逻辑“1”；以及依第二方向设置的多条第二导线，位于该介电层和该二极管上，该第一和第二方向为垂直。本发明是利用二极管上是否有介电层来定义逻辑“0”逻辑“1”，且可堆叠多层二极管层，而形成高密度的三度空间数组。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供