磁电流传感器以及电流测量方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201380076350.X
IPC分类号：G01R15/20
申请日期：
2013-05-10
申请人：
株式会社村田制作所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	磁电流传感器以及电流测量方法
申请号	CN201380076350.X	申请日期	2013-05-10
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-12-23	公开/公告号	CN105190323A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R15/20 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R15/00 包含在G01R 17/00至G01R 29/00、G01R 33/00至G01R 33/26或G01R 35/00组中的各种测量装置的零部件〔1，8〕 G01R15/14 为提供电压或电流隔离所做的改进，例如用于高压或大电流网络〔6〕 G01R15/20 使用电—磁装置，例如霍尔效应装置〔6〕	IPC分类号	G;0;1;R;1;5;/;2;0查看分类表>
申请人	株式会社村田制作所	申请人地址	日本京都府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社村田制作所	当前权利人	株式会社村田制作所
发明人	张振洪
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	李逸雪

摘要

本发明的磁电流传感器的特征在于，具有：由4个磁阻元件构成的惠斯通电桥电路；向所述磁阻元件施加偏置磁场的偏置磁场施加单元；和被设置在所述惠斯通电桥电路的两侧的空芯线圈，所述惠斯通电桥电路产生与因流过所述空芯线圈的被测量电流而产生的感应磁场对应的电压。根据本发明的磁电流传感器以及电流测量方法，通过抑制磁滞，从而0mA附近的电流与输出电压的线性优良，电流电路侧与MR元件侧的绝缘性优良，因此能够实现大电流化、小型化以及低成本化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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