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具有用于防止水从外部进入电路区的保护环的半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN200410032183.1
IPC分类号：H01L21/02;H01L23/00
申请日期：
2004-04-01
申请人：
恩益禧电子股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有用于防止水从外部进入电路区的保护环的半导体器件
申请号	CN200410032183.1	申请日期	2004-04-01
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-11-03	公开/公告号	CN1542911
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人	恩益禧电子股份有限公司	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	富田隆治;黑川哲也;石上隆司;井口学;上野和良;关根诚
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	穆德骏;陆弋

摘要

一种半导体器件具有围绕电路区的第一保护环，布置在电路区和第一保护环之间的第二保护环以及连接第一保护环和第二保护环的第一连接部分。夹在第一保护环和第二保护环之间的区域被第一连接部分分为多个子区。即使第一保护环部分地损坏，从外部进入的水仅进入邻接第一保护环的损坏部分的子区。

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