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高压元件中整合高阻值电阻制程的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710107915.2
  • IPC分类号:H01L21/82
  • 申请日期:
    2007-05-15
  • 申请人:
    和舰科技(苏州)有限公司
著录项信息
专利名称高压元件中整合高阻值电阻制程的方法
申请号CN200710107915.2申请日期2007-05-15
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2008-11-19公开/公告号CN101308816
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/82
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;2查看分类表>
申请人和舰科技(苏州)有限公司申请人地址
江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人和舰科技(苏州)有限公司当前权利人和舰科技(苏州)有限公司
发明人蔡元礼;谢学瀚
代理机构北京连和连知识产权代理有限公司代理人王光辉
摘要
本发明公开了一种于高压元件中整合高阻值电阻制程的方法,是利用未经掺杂的多晶硅层取代传统的多晶硅层。在高阻值电阻区并未先行离子植入,直到发射极和集电极区完成之后才进行。在此高阻值电阻区,首先蚀刻氧化物-氮化物-氧化物层,其次以BF2为离子源对未经掺杂的多晶硅进行离子植入,电阻值是利用植入BF2剂量加以控制。再进行接触窗蚀刻,更高浓度的BF2植入到此高阻值电阻区,以降低接触窗的阻值。

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